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MOS管的耐压对性能参数和栅极电荷的影响分析

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2020-09-05 浏览:-

MOS管的耐压对性能参数和栅极电荷的影响分析

电影天堂网免费在线观看mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

MOS管,MOS管的耐压

电影天堂网免费在线观看功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管,其优点是电压型控制,驱动功率低,低电压器件中MOS的导通压降和开关速度是最佳的。

MOS管的耐压对导通电阻的影响:MOS的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定,而MOS管是多数载流子导电器件,芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍,而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6),大约为6400倍!如果还想保持导通电阻的基本不变就需要更大的管芯面积,这样不仅增加了封装尺寸,而且价格也将明显上升。

电影天堂网免费在线观看开关变换器中MOS管的开关速度实际上是受驱动电路的驱动能力影响,很少会因驱动电路的驱动能力过剩而MOS管的速度或自身特性限制了开关速度。MOS管的电荷量是影响开关速度的最主要因素。例如100nC的栅极电荷用100mA的电流将其充满或放尽,需要的时间为1us,而30nC的电荷则仅需要300ns的时间。

电影天堂网免费在线观看或者是在相同的驱动时间,则驱动电流可以下降为30mA。实际上决定MOS管的开关速度的因素是栅-漏电荷(Qgd),也就是MOS管从导通转换到关断或从关断转换到导通过程中越过“放大区”所需要的电荷“米勒电荷”。

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